材料導報, 2026, 40(14): 25040291 DOI: 10.11896/cldb.25040291
異質(zhì)結(jié)太陽能電池具有工藝溫度低，工藝流程簡單，光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點，是目前太陽能電池技術(shù)開發(fā)的熱點。導電漿料直接影響異質(zhì)結(jié)太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率，因此制備高性能低成本導電漿料具有重要經(jīng)濟意義。本實驗選用化學法銀粉、銀銅粉制備異質(zhì)結(jié)太陽能電池用低溫銀漿和銀銅漿，探究不同規(guī)格導電粉體搭配對導電漿料接觸電阻率和線電阻的影響。實驗發(fā)現(xiàn)采用32.5%含量納米球形銀粉（平均粒徑0.4 μm）搭配60%含量片狀銀粉（平均粒徑3.02 μm）制備純銀導電漿料，其線電阻與接觸電阻率最佳，分別為1.16 Ω·cm、1.10mΩ·cm2。另外，本研究采用銀包覆量為18%的球形銀包銅粉（平均粒徑3.46 μm）與納米球形銀粉（平均粒徑0.4 μm）進行復(fù)配，成功制備了總銀含量為33%的銀包銅導電漿料。通過對銀粉與銀包銅粉的配比進行優(yōu)化，該漿料表現(xiàn)出優(yōu)異的低溫快速固化特性，且其電性能可媲美純銀漿料。實驗確定的最佳質(zhì)量配比為20%的納米球形銀粉與72.5%的銀包銅粉。在此配方下，漿料的線電阻和接觸電阻率分別達到1.41 Ω·cm 和1.74 mΩ·cm2。
關(guān)鍵詞：異質(zhì)結(jié)太陽能電池 超細銀粉 銀包銅粉 環(huán)氧樹脂 潛伏性固化劑
基金項目：廣東省科技廳重點領(lǐng)域研發(fā)計劃項目(2019B090911004)
通信作者：狄聚青，juqing.di@votinfrared.com
中圖分類號：TG335.58 文獻標志碼：A
引用格式：閆方存，狄聚青，薛慧，陳應(yīng)紅，秦賢松，顏靈光，仲光洪.超細導電粉體對異質(zhì)結(jié)太陽能電池金屬化影響研究[J].材料導報, 2026, 40(14): 25040291
來源：中國知網(wǎng)
太陽能光伏發(fā)電是重要電力來源之一，因其清潔、無污染、轉(zhuǎn)換效率高、發(fā)電周期長等優(yōu)點得到大力發(fā)展。目前光伏發(fā)電主流技術(shù)為2.5 代N 型TOPCon 太陽能電池、3.0代N 型異質(zhì)結(jié)（HJT）太陽能電池和鈣鈦礦太陽能電池[1-2]。HJT 電池因具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率，相對簡單的工藝制程，更為節(jié)能的生產(chǎn)工藝而得到市場的認可[3]。目前HJT 電池正處于提效降本的關(guān)鍵時期，為了滿足光伏新能源市場需求，少銀或無銀導電漿料得到市場的認可和發(fā)展。在HJT 電池應(yīng)用中，電極柵線金屬化一直是技術(shù)進步的重要環(huán)節(jié)，其所用低溫導電漿料主要由高導電性球形銀粉、片狀銀粉、銀包銅粉、環(huán)氧樹脂、潛伏性固化劑、有機助劑等組成[4-5]。
其中球形銀粉與片狀銀粉的良好搭配有助于提高粉體堆積密度，降低柵線體電阻，環(huán)氧樹脂與固化劑體系的搭配則決定低溫銀漿的常溫儲存性及加熱條件下快速固化性能。另外，隨著市場對降本提效要求的提高，利用銀包覆賤金屬如銅、鎳等替代銀粉來制備低溫漿料得到廣泛重視和發(fā)展[6]。銅本身具有良好的導電性，在20 ℃溫度下，銅的體積電阻率為1.68×10-8 Ω·m，銀的體積電阻率為1.59×10-8 Ω·m，表明銅粉具備替代銀粉的先決條件。為達成賤金屬銅替代貴金屬銀，降低銀漿成本的目標，需要解決的主要問題有以下幾點，第一，銀包覆銅粉的完整性，防止因包覆不完整，造成局部銅粉裸露，降低銀銅粉抗氧化性；第二，銀包銅粉中，銀與銅的界面需要具備較強的結(jié)合力，防止銀殼脫落；第三，銀包銅粉表面包覆處理工藝的選擇，不同的表面包覆劑處理工藝對銀銅漿電性能具有明顯影響；第四，銀包銅粉生產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性，防止不同批次銀銅粉工藝不穩(wěn)定，造成銀銅漿電性能波動；第五，超低銀含銀銅粉的開發(fā)，越低銀含的銀包銅粉，其銀殼厚度越薄，容易造成銅的裸露問題，對銀包銅制備工藝提出更高的要求。目前銀包銅粉可有效解決銅粉本身易氧化的問題，并具有良好的導電性和抗氧化性，被認為是銀粉的理想替代產(chǎn)品[7]。本文通過實驗驗證銀包銅替代純銀方案的可行性，所制備的銀包銅漿料具備低溫快速固化性，并具有接近純銀的線電阻和接觸電阻率。為滿足電池產(chǎn)線量產(chǎn)要求，低溫銀漿在絲網(wǎng)印刷后需要在較短時間內(nèi)完成固化，通常產(chǎn)線固化工藝為150 ℃烘干3 min，然后在200 ℃溫度下固化6 min，完成異質(zhì)結(jié)電池片電極金屬化[8]。從電池工藝角度，銀漿電極烘干和固化時間的長短直接決定了電池片的生產(chǎn)效率，以更短的固化工藝實現(xiàn)電池片電極金屬化有助于提高電池產(chǎn)量。異質(zhì)結(jié)銀漿的固化工藝由銀漿中有機載體體系與導電功能相共同決定，電極漿料所選用的環(huán)氧樹脂和固化劑體系既要保證漿料在常溫下不發(fā)生固化反應(yīng)，確保漿料具有較長的存儲穩(wěn)定期，又要滿足漿料在加熱溫度條件下實現(xiàn)快速固化，完成金屬化，因此環(huán)氧樹脂需要搭配具有潛伏性的固化劑[9]。本文通過實驗選定四官能縮水甘油胺類耐高溫環(huán)氧樹脂與三氟化硼-單乙胺絡(luò)合物固化劑體系，并搭配咪唑類固化促進劑加快低溫漿料在工藝設(shè)定溫度下的固化反應(yīng)速度，整體體系可以實現(xiàn)異質(zhì)結(jié)漿料在200 ℃條件下6 min 內(nèi)完成固化，同時在常溫下具有良好的潛伏性。銀粉作為漿料的重要組成部分，對漿料的性能具有重要的影響[10]。低溫銀漿中銀粉的制備方法較多，主要有直流電弧等離子體法、球磨法、蒸發(fā)凝聚法、化學還原法[11]等，本文所選用的導電粉體為銀粉及銀包銅粉，銀粉采用化學還原法制備而成，銀銅粉首先采用蒸發(fā)法制備出銅粉，然后通過化學還原法及銀銅置換制備得到銀銅粉[12-13]，通過控制工藝參數(shù)，最終得到不同粒徑規(guī)格的銀粉及銀包銅粉。
異質(zhì)結(jié)漿料通常由多種不同粒徑規(guī)格的導電粉體搭配作為導電功能相，其中大粒徑的導電粉體接觸可以降低電子傳導過程中穿過的界面數(shù)量，從而降低線電阻[14]。但由于大顆粒粉體之間存在較多孔隙，孔隙的存在會使電子傳輸通道減少，從而導致電極柵線電阻升高。另外，為降低光線反射，增加光的吸收，異質(zhì)結(jié)電池片在表面設(shè)計了微米級金字塔陷光結(jié)構(gòu)[15]，因此電極柵線與異質(zhì)結(jié)電池片透明導電氧化物薄膜（transparent conductive oxide，TCO）接觸部位需填充小顆粒導電粉體，有助于形成良好接觸，從而使電池片中電子能順利的導出。通過以上分析，導電漿料確定了微米級、納米級導電粉體搭配的實驗設(shè)計思路，用不同規(guī)格的銀粉、銀包銅粉搭配，測試HJT電池導電漿料的柵線線電阻、接觸電阻率，確定最佳的粉體組合。
1.1 試劑與儀器
納米銀粉（D50：0.15 μm，自制）；納米銀粉（D50：0.22 μm，自制）；納米銀粉（D50：0.40 μm，自制）；納米銀粉（D50：0.61 μm，自制）；球形銀粉（D50：3.06 μm，自制）；片狀銀粉（D50：3.02 μm，自制）；球形銀包銅粉（銀含量18%，D50：2.20 μm，自制）；球形銀包銅粉（銀含量18%，D50：3.46 μm，自制）；球形銀包銅粉（銀含量18%，D50：4.78 μm，自制）；四官能縮水甘油胺類耐高溫環(huán)氧樹脂（型號：TT400，天太高新科技（廣州）有限公司）；三氟化硼-單乙胺絡(luò)合物（C2H6BF3N，純度99%）；2-乙基-4-甲基咪唑（C6H10N2，GC）；二乙二醇丁醚醋酸酯（C10H20O4，純度98%）；己二酸二甲酯（C8H14O4，純度99%） ； 二乙二醇丁醚（C8H18O3，純度99%）。
電子天平JJ324BF；油浴鍋DF-101S；電動攪拌機LC-OES-200SH；馬爾文激光粒度測試儀MASTERSIZER 3000；聯(lián)合眾工振實密度計KY ； 固緯電阻測試儀GDM-8532 ； 接觸電阻率測試儀Ai-TLM-SCAN；三輥機EXAKT80E；邁為絲網(wǎng)印刷機MX-XPZE2L；電熱鼓風烘箱100L；SEM 掃描電鏡XL30ESEM-TEP。
1.2 銀漿（銀包銅漿）的制備
有機載體制備：按配比稱量四官能縮水甘油胺類耐高溫環(huán)氧樹脂、二乙二醇丁醚醋酸酯、己二酸二甲酯、二乙二醇丁醚等組分，將稱量的原料置于油浴鍋內(nèi)加熱攪拌溶解，加熱溫度為50 ℃，加熱時間為0.5 h，電動攪拌機輔助載體混合。加熱完成后，取出放置在常溫下冷卻，然后按配比加入三氟化硼-單乙胺絡(luò)合物、2-乙基-4-甲基咪唑攪拌，制備成低溫銀漿及銀包銅漿有機載體備用。低溫銀漿（銀包銅漿）制備：按配比稱量銀粉、銀包銅粉、有機載體，稱量完成后將配料罐放置在均質(zhì)機中進行離心攪拌，攪拌轉(zhuǎn)速為800 r/min，攪拌時間1 min。最后將漿料轉(zhuǎn)移到三輥機上，進行三輥軋制，以實現(xiàn)銀粉、銀包銅粉及有機載體的充分分散，并打開軟團聚，實現(xiàn)粉體顆粒的充分潤濕分散。
1.3 性能測試與表征
利用馬爾文激光粒度測試儀測試銀粉及銀包銅粉粒徑參數(shù)及顆粒分布，利用聯(lián)合眾工振實密度計KY測試粉體的振實密度，利用麥克默瑞提克TriStar II PLUS測試粉體比表面積，利用固緯電阻測試儀GDM-8532測試絲網(wǎng)印刷圖形的線電阻，利用艾盛接觸電阻率測試儀Ai-TLM-SCAN測試低溫銀漿和銀包銅漿料的柵線接觸電阻率，利用SEM掃描電鏡XL30ESEM-TEP表征柵線與異質(zhì)結(jié)電池片界面微觀形貌。
2.1 銀粉規(guī)格對低溫異質(zhì)結(jié)銀漿電性能影響
2.1.1 銀粉規(guī)格對銀漿線電阻影響分析
不同規(guī)格銀粉搭配影響異質(zhì)結(jié)太陽能電池低溫銀漿電性能。表1 中匯總不同銀粉型號的相關(guān)物理參數(shù)，表2 根據(jù)銀粉搭配設(shè)計8 組實驗方案，實驗中將納米球形銀粉分別與微米球形銀粉和片狀銀粉搭配，添加有機載體制備成低溫銀漿。
其中納米銀粉添加質(zhì)量分數(shù)為32.5%，微米級球形銀粉或片形銀粉添加質(zhì)量分數(shù)為60%，有機載體添加質(zhì)量分數(shù)為7.5%。為實現(xiàn)導電粉體更好的堆積密度，提高導電性，實驗所選用納米銀粉NP-01、NP-02、NP-03、NP-04 采用相同的制備工藝和表面包覆處理工藝，平均粒徑（D50）分別為0.15 μm、0.22 μm、0.40 μm、0.61 μm，可參考表1。微米級球形銀粉SP-01平均粒徑3.06 μm，微米級片狀銀粉FP-01平均粒徑為3.02 μm。低溫銀漿線電阻測試數(shù)據(jù)匯總于表2 中，線電阻曲線圖參考圖1，分析相關(guān)實驗數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)，實驗A1-A4 將球形銀粉SP-01 分別與4 款納米銀粉搭配測試，實驗發(fā)現(xiàn)，隨著納米銀粉粒徑增大，銀漿樣品線電阻逐漸降低，在納米銀粉粒徑為0.40μm 達到最低，繼續(xù)增加銀粉粒徑，線電阻呈升高趨勢（圖1），最佳銀粉搭配為實驗A3 納米銀粉NP-03 與球形銀粉SP-01搭配，線電阻為1.36 Ω·cm。實驗A5-A8 將片狀銀粉FP-01 分別與4 款納米銀粉搭配測試，實驗發(fā)現(xiàn)，銀漿樣品線電阻隨納米銀粉粒徑的增大同樣呈現(xiàn)先逐漸降低后上升趨勢（圖1），且線電阻明顯低于微米球形銀粉漿料，其中實驗A7 采用納米銀粉NP-03與片狀銀粉FP-01 搭配的線電阻最低，電阻為1.16 Ω·cm。另外，對比實驗A3 與實驗A7 發(fā)現(xiàn)，采用納米粉與片狀銀粉搭配的線電阻較納米銀粉與球狀銀粉的線電阻低15%。分析認為納米銀粉與片狀銀粉之間可形成良好的點接觸與面接觸，納米銀粉的存在能有效填充片狀銀粉間的孔隙，同時片狀銀粉之間可形成點接觸和面接觸，而微米級球形銀粉與納米銀粉之間多為點接觸形式，較片狀銀粉的接觸差。另外，片狀銀粉的扁平結(jié)構(gòu)可有效提高堆積密度，減少孔隙數(shù)量，粉體間接觸率更高，根據(jù)隧穿模型，點接觸復(fù)合面接觸可有效提高電子在導電粒子之間的隧穿、躍遷[16]。對比球狀銀粉，F(xiàn)P-01 片狀銀粉與球形銀粉搭配所制漿料線電阻更低。通過實驗優(yōu)選平均粒徑為0.40 μm 的NP-03 納米銀粉搭配平均粒徑為3.02 μm 的FP-01 片狀銀粉制備具有較低線電阻的異質(zhì)結(jié)低溫銀漿。
2.1.2 銀粉規(guī)格對銀漿接觸電阻率影響
異質(zhì)結(jié)電池片表層具有絨面結(jié)構(gòu)，起到陷光作用，有助于提升電池片光吸收率，進而提高光電轉(zhuǎn)換效率。由于絨面結(jié)構(gòu)的存在，電極材料印刷后容易在絨面結(jié)構(gòu)處形成較多的孔隙，導致填充率降低，使得電極柵線的接觸電阻率升高，從而影響太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。實驗選用不同粒徑納米銀粉，通過測試銀漿柵線與電池片的接觸電阻率來評估不同納米粉體搭配在HJT 異質(zhì)結(jié)電池片絨面結(jié)構(gòu)處的填充效果。
實驗所選片狀銀粉為厚片狀銀粉，該片狀銀粉是前期通過銀粉探索實驗后所確定的一款銀粉，粉體具有良好的潤濕性，其邊緣圓滑，呈橢球形，平均粒徑為3.02 μm，具有較高的振實密度（6.31g/cm3），該片狀銀粉可與小粒徑納米銀粉形成良好的點接觸，同時片狀銀粉與片狀銀粉之間可形成良好的點接觸和面接觸。銀漿接觸電阻率測試數(shù)據(jù)可參考表2，分析接觸電阻率曲線圖發(fā)現(xiàn)（圖2），納米銀粉與片狀銀粉搭配所制導電漿料的接觸電阻率要明顯低于納米銀粉與球狀銀粉搭配所制導電漿料。
實驗A1-A4 為微米級球形銀粉SP-01 搭配四款納米球形銀粉，實驗A3 的接觸電阻率最低為1.45 mΩ·cm2，對應(yīng)的粉體搭配為NP-03 與SP-01，表明納米球形銀粉平均粒徑為0.40μm 時接觸電阻率相對較低，升高或降低粉體的平均粒徑會導致接觸電阻率升高。實驗A5-A8 為微米級片狀銀粉FP-01 分別搭配四款納米球形銀粉，所制得漿料接觸電阻率平均值均低于微米級球形銀粉，且實驗A7 中NP-03 搭配片狀銀粉FP-01 的接觸電阻率最低為1.10 mΩ·cm2，較球形銀粉低24.2%，與硅片具有更好的接觸性，有助于提高異質(zhì)結(jié)電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。
圖3 為異質(zhì)結(jié)太陽能電池銀漿金屬化SEM 圖，圖3（a）為實驗A5 球形銀粉SP-01搭配納米銀粉NP-03，其線電阻低于其他球形銀粉。觀察SEM 圖，粉體之間具備較好的點狀接觸， 堆積密實， 與底層ITO（IndiumTin Oxides）銦錫氧化物半導體透明導電膜 接觸良好。圖3（b）為實驗A7片狀銀粉FP-01 搭配納米銀粉NP-03，觀察圖3（b），粉體之間堆積密實，納米粉與片狀銀粉之間接觸良好，同時片狀銀粉之間也可形成良好的面接觸，粉體與ITO 膜層接觸良好，并形成良好的填充。通過對比兩圖發(fā)現(xiàn)，片狀銀粉與納米粉搭配可進一步降低線電阻和接觸電阻率。
2.2 銀銅粉規(guī)格對低溫異質(zhì)結(jié)銀銅漿電性能影響
2.2.1 銀銅粉規(guī)格對銀銅漿線電阻影響分析
實驗選用三款銀銅粉與四款納米銀粉搭配，探索銀銅粉對漿料電性能影響，并通過選用不同粒徑粉體搭配，以獲得較高堆積密度的粉體組合。三款銀包銅粉AgCu-01、AgCu-02、AgCu-03，采用相同制備工藝和表面包覆處理工藝，銀含量均為18%，其主要區(qū)別為銀包銅粒度分布不同，主要參考其平均粒徑（D50），平均粒徑參考表3，依次為2.20 μm、3.46 μm、4.78 μm。四款納米銀粉NP-01、NP-02、NP-03、NP-04 其粉體參數(shù)參考表3，平均粒徑分別為0.15 μm、0.22 μm、0.40 μm、0.61 μm。根據(jù)銀粉搭配設(shè)計12 組實驗方案（表4），實驗通過計算銀銅粉和銀粉的添加比例制備銀含量為33%的銀銅漿，用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池正背面細柵。
本實驗項目選用同種有機載體制備銀銅漿，銀銅粉和銀粉的選擇主要依據(jù)平均粒徑（D50）參數(shù)，輔助參數(shù)為比表面積和振實密度。銀銅漿線電阻測試數(shù)據(jù)可參考表4，分析線電阻曲線圖（圖4）發(fā)現(xiàn)，實驗B1-B4 采用平均粒徑為2.20 μm 的AgCu-01 銀銅粉分別與四款亞微米銀粉搭配，實驗B2 中平均粒徑為0.22μm 的NP-02 銀粉線電阻相對較低，線電阻為1.64Ω·cm，銀粉平均粒徑升高，線電阻略有升高。
分析實驗B5-B8數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)，采用平均粒徑為3.46μm的AgCu-02 銀銅粉分別與四款納米銀粉搭配，隨著納米銀粉的平均粒徑變大，銀銅漿線電阻先降低后升高，其中實驗B7 中搭配NP-03 銀粉的線電阻最低為1.41 Ω·cm，銀粉平均粒徑為0.40 μm，實驗B6 平均線電阻略高于實驗B7，實驗B5和實驗B8 平均線電阻持平且均高于實驗B7的平均線電阻。分析實驗B9-B12，采用平均粒徑為4.78 μm 的AgCu-03 銀銅粉分別與四款納米銀粉搭配，隨著納米銀粉的平均粒徑變大，銀銅漿線電阻整體呈先降低后升高趨勢，實驗B11 中AgCu-03 銀銅粉與NP-03銀粉搭配線電阻相對較低，為1.63 Ω·cm，但相比實驗B7 中的AgCu-02 平均線電阻明顯升高。通過三款不同粒徑銀銅粉分別與四款不同粒徑的亞微米銀粉搭配，發(fā)現(xiàn)平均粒徑為3.46μm 的AgCu-02 與平均粒徑為0.40μm 的NP-03 搭配較好，具有更高的堆積密度，可以明顯降低銀銅漿固化后的線電阻，所制得漿料線電阻較純銀漿料（實驗A7，1.10Ω.cm）高28%。
2.2.2 銀銅粉規(guī)格對銀銅漿接觸電阻率影響
銀銅漿接觸電阻率測試數(shù)據(jù)可參考表4，實驗B1-B4 為平均粒徑為2.20 μm 的AgCu-01 分別搭配NP-01、NP-02、NP-03、NP-04 銀粉；實驗B5-B8 為平均粒徑為3.46μm 的AgCu-02 分別搭配NP-01、NP-02、NP-03、NP-04 銀粉；實驗B9-B12 為平均粒徑為4.78 μm 的AgCu-03 分別搭配NP-01、NP-02、NP-03、NP-04 銀粉。
分析接觸電阻率曲線圖（圖5）發(fā)現(xiàn)，實驗B1-B4 接觸電阻率均值偏高，約為2.1-2.3 mΩ·cm2，實驗B2 中AgCu-01 搭配NP-02（平均粒徑0.22 μm）的接觸電阻率相對較低為2.06 mΩ·cm2，實驗B4 中銀銅粉AgCu-01 搭配NP-04（平均粒徑0.61 μm）的接觸電阻率相對較高為2.33 mΩ·cm2，初步可看出較大粒徑的納米銀粉接觸電阻率相對較高。實驗B5-B8 接觸電阻率均值較低，約為1.7-2.2 mΩ·cm2，實驗B7 中AgCu-02 搭配NP-03（平均粒徑0.40 μm）的接觸電阻率相對最低為1.73 mΩ·cm2，實驗B8 中AgCu-01 搭配NP-04（平均粒徑0.61μm ） 的接觸電阻率相對較高為2.26mΩ·cm2，從這四組實驗中可得出不同粒徑的納米銀粉和銀銅粉對電池片的接觸電阻率具有較明顯的影響。實驗B9-B12 接觸電阻率均值均較高，約為2.38-2.92 mΩ·cm2，本組實驗中選用較大粒徑的銀銅粉（平均粒徑為4.78 μm）接觸電阻率明顯升高，較前8 組實驗接觸電阻率明顯偏大。另外，實驗面結(jié)構(gòu)的接觸，優(yōu)選平均粒徑為0.4 μm 的NP-03 納米銀粉。
圖6 為異質(zhì)結(jié)太陽能電池銀銅漿電極柵線切面SEM 圖，本圖選取兩款不同粒徑的納米銀粉做對比，圖6（a）為實驗B5 球形銀銅粉AgCu-02 搭配較小粒徑納米銀粉NP-01，圖6（b）為實驗B7 銀銅粉AgCu-02搭配較大粒徑納米銀粉NP-03。觀察圖6 中兩幅圖片，可以清晰的觀察到銀包銅粉的截面形貌，并由此判斷出銀粉對銅粉起到了良好的包覆作用。另外，金屬化電極中，銀銅粉與納米銀粉之間以點接觸為主，存在一定發(fā)現(xiàn)隨著搭配的銀粉粒徑的增大，接觸電阻率逐漸升高，表明不同粒徑銀粉對銀銅漿與異質(zhì)結(jié)電池片的接觸具有明顯的影響，降低接觸電阻率需優(yōu)化粉體粒徑組合。通過分析實驗B1-B12發(fā)現(xiàn)，不同粒徑的銀銅粉所制得銀銅漿與異質(zhì)結(jié)電池片的接觸不同，優(yōu)選平均粒徑為3.46μm的銀銅粉。另外，不同粒徑的銀粉也會影響電極柵線與電池片絨的孔洞，從而導致線電阻和接觸電阻率的上升，優(yōu)化粉體搭配，有助于降低孔洞的出現(xiàn)。圖6（b）較圖6（a）孔洞數(shù)量和區(qū)域有所降低，線電阻和接觸電阻率更低，減少孔洞增加粉體間接觸以及粉體與底層ITO膜層的接觸，改善銀銅漿金屬化電極的線電阻和接觸電阻率。
3 結(jié)論
（1）微米級銀粉與納米銀粉對低溫異質(zhì)結(jié)銀漿的線電阻和接觸電阻率具有明顯的影響，片狀銀粉的導電性能優(yōu)于球形銀粉，平均粒徑為3.02μm的片狀銀粉與平均粒徑為0.40μm納米銀粉搭配所制得低溫銀漿具有相對較低的線電阻和接觸電阻率。
（2）銀銅粉粒徑對導電漿料電性能具有明顯影響，過大或過小的銀銅粉均會導致導電漿料線電阻和接觸電阻率的升高，通過實驗優(yōu)選平均粒徑為3.46μm的銀銅粉，搭配平均粒徑為0.40μm的納米銀粉制得電性能良好的低溫異質(zhì)結(jié)電池用銀銅漿。
1. Li C, Song H W, Chen C. Chinese journal of uminescence, 2024, 45(5), 711(in Chinese).李超, 宋宏偉, 陳聰. 發(fā)光學報, 2024,45(5), 711.
2. Xu Z T, Lin J, Huang J S, et al. Chinese ournal of luminescence, 2025, 46(1),98(in Chinese).許振桐, 林杰, Huang Jingsong, 等. 發(fā)光學報, 2025, 46(1), 98.
3. Liao Z H, Wang J Y, Yuan Z F, et al.Precious metals, 2023, 44(S1), 28(in hinese).廖志輝, 王建勇, 袁再芳, 等. 貴金屬，2023，44(S1), 28.
4. Gong F, Wu Q W, Shi W L, et al. New nergy science and technology, 2024,5(1), 16(in Chinese).鞏峰, 吳慶文, 史衛(wèi)利, 等. 新能源科技,2024, 5(1), 16.
5. Xu Z, Yang W G, Bai L, et al. Solar energy 2024, 362(6), 5(in Chinese). 徐卓, 楊偉光, 白龍, 等. 太陽能, 2024, 362(6), 5.
6. Zhao G X, Yang C S, Tang L, et al. Solar energy, 2024, 368(12), 31(in Chinese). 趙桂香, 揚川蘇, 湯磊, 等. 太陽能,2024, 368(12), 31.
7. Guo X Y, Zheng C Y, Wang Q M, et al. The chinese journal of nonferrous metals, 2024, 34(9), 3037(in Chinese).郭學益, 鄭忱奕, 王親猛, 等. 中國有色金屬學報, 2024, 34(9), 3037.
8. Li S, Jin L F, Xu W, et al. Journal of east china university of science and technology(natural science edition), 2015, 41(6), 787(in Chinese).李森, 金理福, 許巍, 等. 華東理工大學學報（自然科學版）, 2015, 41(6), 787.
9. Wang J, Wang H Q, Wan L S, et al. Electrical engineering materials, 2023, (5), 40(in Chinese).王靜, 王海清, 萬莉莎, 等. 電工材料, 2023, (5), 40.
10. Dong Y, Guo S Q, Li X, et al. Journal of Functional Materials, 2021, 52(4), 4030(in Chinese). 董弋, 郭少青, 李鑫, 等. 功能材料, 2021, 52(4), 4030.
11. Yan F C, Teng Y, Yan J K, et al. Chinese journal of rare metals, 2017, 41(2), 173(in Chinese). 閆方存, 滕媛, 嚴繼康, 等. 稀有金屬, 2017, 41(2), 173.
12. Sun Z, Yu X H, Zhuang Z Y, et al. Surface technology, 2021, 50(5), 119(in Chinese). 孫志, 于曉輝, 莊再裕, 等. 表面技術(shù), 2021, 50(5), 119.
13. Xu J Y, Cai X L, Wang K J, et al. Science technology and engineering, 2012, 12(4), 922(in Chinese). 徐景雨, 蔡曉蘭, 王開軍, 等. 科學技 術(shù)與工程, 2012, 12(4), 922.
14. Chen L H, Dong Y W, Yang H W, et al. Rare metal materials and engineering, 2024, 53(1), 281(in Chinese). 陳雷昊, 董一葦, 楊宏偉, 等. 稀有金屬材料與工程, 2024, 53(1), 281.
15. Yang X Y, Chen N F, Tao Q L, et al. Journal of synthetic crystals, 2018, 47(9), 1917(in Chinese).楊秀鈺, 陳諾夫, 陶泉麗, 等. 人工晶體學報, 2018, 47(9), 1917.
16. Wang G Y, Han A J, Liu W Z, et al. Acta energiae solaris sinica, 2024, 45(2), 489(in Chinese).王光遠, 韓安軍, 劉文柱, 等. 太陽能學報, 2024, 45(2), 489.
掃一掃 關(guān)注我們
